EL UJT

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Transistor uniunión

El UJT

Símbolo del UJT.
El transistor uniunión o transistor unijuntura (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de transistor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (), base uno () y base dos (). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales , en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.

Circuito Equivalente

Curva Característica:  Fijándose en la curva característica del UJT se puede notar que cuando el voltaje sobrepasa un valor  de ruptura, el UJT presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta región se llama región de resistencia negativa. Este es un proceso con realimentación positiva, por lo que esta región no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación.

Curva característica


Operación: El UJT se polariza normalmente según se vé en su curva de polarización. La base  se lleva a una tensión positiva (5V≤VBB≤30V). Por la resistencia  circula entonces una corriente : 
 

El cátodo del diodo emisor se encuentra a una tensión:

 

     El diodo puede presentar una polarización inversa si  es inferior a  por lo que se presentará una corriente de fuga  muy pequeña. Por otro lado si  es superior , el diodo queda polarizado directamente y por ende circula una corriente  formada por portadores minoritarios que son depositados en . Esta se anula disminuyendo su valor; por esto la tensión disminuye también, ahora si bien si  es constante,  debe aumentar, lo que disminuye aún más a . 

Resultado de imagen para EL UJT
     El transistor UJT (transistor de unijuntura – Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unión PN que es utilizado para hacer osciladores. Muy importante: No es un FET.
     Físicamente el transistor UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra, formando así una unión PN. Ver los siguientes gráficos.
     Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1.
Símbolo y descripcion de patillas del transistor UJT - Electrónica Unicrom               Construcción de un transistor UJT - Electrónica Unicrom
Donde:
  • n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
  • VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La fórmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.
Ejemplo 1.– Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1. ¿Cuál es el voltaje de disparo aproximado?
  • Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios
Ejemplo 2.– Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1. ¿Cuál es el voltaje de disparo aproximado?
  • Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios.

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